Dresden, 7. Juni 2017 – Die SILTECTRA GmbH, Technologiespezialist für kerf-less Wafering, hat seit dem 1. Juni 2017 einen neuen CEO. Dr. Harald Binder, ausgewiesener Experte für Anlagenbau und Halbleitertechnologie, will den nächsten Schritt der Kommerzialisierung der SILTECTRA-Technologie vorantreiben. Dabei wird er eng mit Dr. Jan Richter zusammenarbeiten, der seit 2011 als CTO den Bereich Technologie- und Prozessentwicklung verantwortet und seitdem an mehr als 25 Patenten mitgewirkt hat. Der bisherige CEO Dr. Wolfram Drescher wechselt in den Beirat und steht dem Unternehmen in dieser Funktion weiter zur Verfügung.
„Mit Harald Binder konnten wir den Branchenexperten gewinnen, den wir uns gewünscht haben. Er bringt viele Jahre Erfahrung in der strategischen Unternehmensentwicklung und Produktionsoptimierung mit. Genau diese Erfahrung brauchen wir, um den bevorstehenden Nachfrageschub bei Leistungshalbleitern für uns zu nutzen und den Herstellern kostengünstige Lösungen zu bieten“, sagt Dr. Axel Thierauf, Partner der MIG Verwaltungs AG, deren MIG-Fonds mehrheitlich an der SILTECTRA GmbH beteiligt sind.
Der promovierte Physiker Harald Binder begann seine berufliche Laufbahn 1977 bei Euratom und war danach viele Jahre bei Siemens im DRAM-Umfeld tätig. Anschließend übernahm er Managementaufgaben beim Reinraum-Anlagenbauer M+W Zander. Von 2006 bis 2008 war er CEO der centrotherm thermal solutions AG. Danach war er als Vice President und General Manager bei Applied Materials, einem der weltgrößten Hersteller von Anlagen für die Halbleiterindustrie, tätig. In den vergangenen fünf Jahren arbeitete er als selbstständiger Berater für die Halbleiterindustrie.
SILTECTRA verarbeitet hochwertiges Halbleitermaterial für die Chipindustrie ohne Materialverlust zu dünnen Scheiben, sogenannten Wafern. Das besondere Laserverfahren, mit dem SILTECTRA weltweiter Vorreiter ist, beruht auf einem chemisch-physikalischen Vorgang: Durch thermischen Stress werden Kräfte erzeugt, die das Material entlang der gewünschten Ebene spalten. Gegenüber herkömmlichen Methoden wie dem Sägen spart das Verfahren mehr als 90 Prozent der Materialverluste ein. Daher ist die SILTECTRA-Technologie besonders dort von Vorteil, wo sehr kostenintensive Halbleitermaterialien wie etwa Siliziumkarbid zum Einsatz kommen.
„Je nach Material macht der Wafer etwa fünf bis 50 Prozent der Kosten in der Chipproduktion aus. Durch unsere COLD SPLIT Technologie wird die neue Generation von Bauelementen für die Hochleistungselektronik um bis zu 15 bis 20 Prozent günstiger. Damit könnten Zukunftsanwendungen wie 5G, kabelloses Laden oder Elektromobilität schneller den Massenmarkt erobern“, sagt SILTECTRA-CEO Dr. Harald Binder.
Seit September 2016 betreibt SILTECTRA in Dresden eine Pilotanlage zum Spalten von Halbleitermaterial. Das Unternehmen entwickelt derzeit eine Systemlösung für hohe Durchsätze, die voraussichtlich im dritten Quartal 2017 im neuen produktionsfähigen SILTECTRA-Gebäude zur Verfügung stehen soll